| 样品鉴定中IGBT的半桥击穿特性记述 |
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| 索取号： | Y97-60737-1491 |
| 文献类型： | 会 |
| 文种： | 英 |
| 中文题名： | 样品鉴定中IGBT的半桥击穿特性记述 |
| 外文题名： | IGBT half-bridge shoot-through characterization for model validation |
| 作者： | Berling,D.W. & Hefner,A.R. |
| 文献来源： | 1996 IEEE Industry Applications Meeting, Vol.3 |
| 页码： | 1491～1499 |
| 分类号： | 0822 |
| 叙词： | 绝缘栅场效应晶体管;双极晶体管;电路分析;性能分析 |
| 自由词： | 绝缘栅双极晶体管 |
| 文摘： | 本文描述了为鉴定IGBT样品对半桥IGBT进行各种测量的电路。电路包括两个稳定绝缘的IGBT门极驱动电路、每个IGBT由带较长死区的八周方波驱动,这样散热槽的需求大大降低。其中一个驱动电路带有延时器可获得大量的门极重叠和死区。研究了包括一IGBT导通和另一IGBT截止间的时间间隔和一IGBT截止另一IGBT导通的时间间隔等开关情况。前一种情况应用于击穿事故和模拟带有二极管恢复的IGBT导通,后一种表示了器件间理想的电流交换。参12 |
| 顺序号： | 9709769 |
| 收录本论文时间： | W199712 |